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HCTS540HMSR	文件：135.69 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Description TheIntersilHCTS540MSisaRadiationHardenedinvertingOctalBuffer/LineDriver,withtwoactive-lowoutputenables.Theoutputenablepins(OE1andOE2)controlthethreestateoutputs.Ifeitherenableishightheoutputswillbeinthehighimpedancestate.Fordataoutputbothen	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCTS540HMSR	文件：422.08 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS540K	文件：135.69 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Description TheIntersilHCTS540MSisaRadiationHardenedinvertingOctalBuffer/LineDriver,withtwoactive-lowoutputenables.Theoutputenablepins(OE1andOE2)controlthethreestateoutputs.Ifeitherenableishightheoutputswillbeinthehighimpedancestate.Fordataoutputbothen	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCTS540K	文件：422.08 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS540KMSR	文件：135.69 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Description TheIntersilHCTS540MSisaRadiationHardenedinvertingOctalBuffer/LineDriver,withtwoactive-lowoutputenables.Theoutputenablepins(OE1andOE2)controlthethreestateoutputs.Ifeitherenableishightheoutputswillbeinthehighimpedancestate.Fordataoutputbothen	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCTS540KMSR	文件：422.08 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS540MS	文件：135.69 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Description TheIntersilHCTS540MSisaRadiationHardenedinvertingOctalBuffer/LineDriver,withtwoactive-lowoutputenables.Theoutputenablepins(OE1andOE2)controlthethreestateoutputs.Ifeitherenableishightheoutputswillbeinthehighimpedancestate.Fordataoutputbothen	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCTS540MS	文件：422.08 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HER540B	文件：247.97 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
HER540F	文件：210.54 Kbytes Page：2 Pages	HighEfficiencyRectifiers VOLTAGERANGE:100---600VCURRENT:5.0A Features ◇Lowcost ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇Easilycleanedwithalcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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详细参数

型号：
HCPL-540K
功能描述：
高速光耦合器 20MBd 1500Vdc Hermetically sealed
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

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深圳市旺财半导体有限公司	HCPL-540K	Broadcom/Avago	23+		21500		询价
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更多HCPL-540K供应商更新时间2025-5-22 10:31:00

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