HCNW3120数据手册Broadcom中文资料规格书
HCNW3120规格书详情
描述 Description
HCNW3120 门驱动光电耦合器内含 AlGaAs LED，通过光学耦合到带有功率级输出的集成电路，这些光电耦合器非常适合用来驱动电机控制变频应用中的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了门控器件所需的驱动电压，这些光电耦合器提供的电压和电流非常适合用来直接推动规格达到 1,200V/100A 的 IGBT，对于规格较高的 IGBT，可以使用 ACPL-K312ACPL-T350 来推动 IGBT 门驱动分立功率级电路，HCNW3120 拥有 VDE 0844 中 VIORM = 1414Vpeak 的最高绝缘电压。
特性 Features
·2.50A 最大输出电流
·VCM = 1,500V时 15kV/µs 高共模抑制 (CMR) 能力
·最高 0.5V 低电平输出电压 VOL
·Icc =5mA 最大耗电流
·带滞后欠压锁定保护 (UVLO)
·15V 到 30V 宽工作Vcc 范围
·500ns 最高开关速度
·-40°C 到 100°C 工业温度范围
·安全规范认证：
- UL 5,000V/1min
- CSA
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 VIORM = 1414Vrms
·选择包括：
- 300 = 鸥翼型表面贴装
- 500 = 卷带式封装
- xxxE = 无铅
应用 Application
IGBT/MOSFET Gate Drive
AC/Brushless DC Motor Drives
Industrial Inverters
Switch Mode Power Supplies
技术参数
- 型号：
HCNW3120
- 功能描述：
逻辑输出光电耦合器 1Ch 10mA 700mW
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 绝缘电压：
4243 Vrms
- 输出类型：
Push-Pull
- 最大传播延迟时间：
500 ns
- 最大连续输出电流：
2.5 A
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 100 C
- 最小工作温度：
- 40 C
- 封装/箱体：
SO-16
- 封装：
Tube
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