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HCCW120R080H1数据手册Vergiga中文资料规格书

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厂商型号

HCCW120R080H1

功能描述

SiC MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-13 10:50:00

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HCCW120R080H1规格书详情

描述 Description

-

特性 Features

-

技术参数

  • 制造商编号

    :HCCW120R080H1

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :1200.00

  • vgs_min

    :-5.00

  • vgs_max

    :20.00

  • vth_min

    :2.00

  • vth_max

    :4.00

  • ID[A]

    :36.00

  • PD[W]

    :220.00

  • RDON Typ *[mohm]@VGS=20V

    :80.00

  • Ciss

    :1410.00

  • Coss

    :97.00

  • Qg(10V)[nC]

    :55.50

  • Crss

    :6.70

  • Package

    :TO-247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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