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HVD145	文件：79.72 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C=0.45pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.8Ωmax) •SupersmallFlatLeadPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD145	文件：33.16 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. ●Lowcapacitance.(C=0.45pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=1.8Ωmax)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVL145	文件：78.68 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C=0.45pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.8Ωmax) •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU145	文件：78.73 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C=0.45pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.8Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU145	文件：36.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C=0.45pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=1.8Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HY-145B	文件：1.28404 Mbytes Page：3 Pages	CERRADURADEPERNOELÉCTRICO Descripción Lascerraduraselectromagnéticassondispositivosdecontroldeaccesoquepermitenaumentarlaseguridadenlapuertadondesecolocan.Secolocanenelmarcodelapuertayunacontrachapacorrespondienteaesacerraduraseinstalaenlapuerta.Cuentaconpernodecaída,siendodel	AGELECTRONICA AG Electronica	AGELECTRONICA
HY-145B	文件：1.83061 Mbytes Page：4 Pages	INTERRUPTORSINCONTACTOK1 Descripción Elinterruptorobotónsincontactoutilizaunsensorinfrarrojo(IR)paraparacontrolde accesososalida,permitelaaperturadeunapuertasolamentepasandosumanofrenteal sensorconunrangodedetecciónajustableentre4a15cm.Laplacaestáfabricadaen aceroinoxidable,	AGELECTRONICA AG Electronica	AGELECTRONICA
INA145	文件：127.35 Kbytes Page：11 Pages	ProgrammableGainDIFFERENCEAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA145	文件：330.12 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableGainDIFFERENCEAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA145	文件：250.96 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableGainDIFFERENCEAMPLIFIER FEATURES DIFFERENTIALGAIN=1V/VTO1000V/V: SetwithExternalResistors LOWQUIESCENTCURRENT:570mA WIDESUPPLYRANGE: SingleSupply:4.5Vto36V DualSupplies:±2.25Vto±18V HIGHCOMMON-MODEVOLTAGE: +8VatVS=+5V ±28VatVS=±15V LOWGAINERROR:0.01% HIGHCMR:86dB SO-8P	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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详细参数

型号：
HC145R
制造商：
CONNOR-WINFIELD
制造商全称：
Connor-Winfield Corporation
功能描述：
HCMOS/TTL COMPATIBLE TRI-STATE OUTPUT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HC145R供应商更新时间2025-7-16 15:35:00

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