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HZS222	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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IL222AT	文件：119.97 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransfer ratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLED emitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistor detector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.This lowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IMST222	文件：2.8617 Mbytes Page：52 Pages	TRANSPUTERRECOMMENDEDFORNEWDESIGNS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
IMX222LQJ	文件：286.7 Kbytes Page：2 Pages	Diagonal6.23mm(Type1/2.9)Approx.2.19M-EffectivePixelColorCMOSImageSensor	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
IRF222	文件：209.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF222	文件：165.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,7A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
HBZ222MBBUALKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
HBZ
包装：
卷带（TR）
容差：
±20%
电压 - 额定：
2000V（2kV）
工作温度：
-40°C ~ 85°C
特性：
高电压
应用：
通用
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，圆片式
大小 / 尺寸：
0.433" 直径（11.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.551"（14.00mm）
引线间距：
0.295"（7.50mm）
引线样式：
直形
描述：
CAP CER 2200PF 2KV RADIAL

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