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HBN2515S6R

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features •TwoBTD2515chipsinaSOT-363package. •MountingpossiblewithSOT-323automaticmountingmachines. •Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. •Mountingcostandareacanbecutinhalf. •LowVCE(sat),VCE(sat)=25mV(max),atIC/IB=10mA/0.5mA. •Wei

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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更多HBN2515S6R供应商 更新时间2024-5-21 11:20:00