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HBK821KBBTCRKR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：径向，圆片式类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 820PF 2KV RADIAL	TST&S Brass. All Rights Reserved. T & sT&S Brass. All Rights Reserved.	TS
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821	文件：179.38 Kbytes Page：1 Pages	PanelMount,for5x20mmFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
821	文件：178.23 Kbytes Page：4 Pages	SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS ●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment	PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司	PRODUCTWELL
821	文件：2.45329 Mbytes Page：11 Pages	Mill-MaxSpring-loadedConnectorsMinimizeNoise	MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp.	MILL-MAX
821	文件：577.02 Kbytes Page：6 Pages	3M??Scotch짰LabelProtectionTape821	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
821	文件：817.73 Kbytes Page：4 Pages	POWERINDUCTOR ●FEATURE 1.Excellentsolderheatresistance(add“C”isforhighcurrenttype) 2.Lowvoltagedropsandsmallvariationsinductance ●APPLICATION 1.DCpowersupplycircuits 2.Powerlinechokecoils…etc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
821	文件：718.61 Kbytes Page：4 Pages	WIREWOUNDSMDINDUCTOR ●FEATURE 1.Lowcorelossforhighfrequencypowerapplication 2.Largeterminalsurface ●APPLICATION 1.Portablecommunicationequipment,notebookcomputer	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
821B	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
821JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
A821ERW	文件：196 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,8WDIPWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
AD821	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICONDUALDIFFERNTIALAMPLIFIERTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
ADG821	文件：333.49 Kbytes Page：12 Pages	??CMOS1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG821BRM	文件：333.49 Kbytes Page：12 Pages	??CMOS1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG821BRM	文件：215.4 Kbytes Page：12 Pages	1ohmCMOS,1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG821BRM-REEL	文件：215.4 Kbytes Page：12 Pages	1ohmCMOS,1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG821BRMZ	文件：215.4 Kbytes Page：12 Pages	1ohmCMOS,1.8Vto5.5V,DualSPSTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG821/ADG822/ADG823aremonolithicCMOSsinglepole,single-throw(SPST)switches.Theseswitchesaredesignedonanadvancedsubmicronprocessthatprovideslowpowerdissipation,yetgiveshighswitchingspeed,lowonresistance,andlowleakagecurrents. FEATURES 0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR821	文件：612.69 Kbytes Page：20 Pages	LowPower,PrecisionReferenceandOpAmp	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR821	文件：611.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower,PrecisionReferenceandOpAmp GENERALDESCRIPTION TheADR821/ADR827combinesaprecisionvoltagereferenceandanopampina10-leadminismalloutlinepackage(MSOP).Thereferenceandtheopampcanbeoperatedindependently,offeringtheuserarangeofflexibilitywhenarrangingthecombination.Featuringacombinedoper	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADR821ARMZ	文件：611.91 Kbytes Page：20 Pages	LowPower,PrecisionReferenceandOpAmp GENERALDESCRIPTION TheADR821/ADR827combinesaprecisionvoltagereferenceandanopampina10-leadminismalloutlinepackage(MSOP).Thereferenceandtheopampcanbeoperatedindependently,offeringtheuserarangeofflexibilitywhenarrangingthecombination.Featuringacombinedoper	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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产品属性

产品编号：
HBK821KBBTCRKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
HBK
包装：
卷带（TR）
容差：
±10%
电压 - 额定：
2000V（2kV）
工作温度：
-40°C ~ 125°C
特性：
高电压
应用：
通用
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，圆片式
大小 / 尺寸：
0.394" 直径（10.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.512"（13.00mm）
引线间距：
0.295"（7.50mm）
引线样式：
直形
描述：
CAP CER 820PF 2KV RADIAL

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