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HBE103MBBCFGKR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向，圆片式；包装：卷带（TR）类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 10000PF 2KV RADIAL	TS T&S Brass. All Rights Reserved.	TS
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HBX103	文件：269.18 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HBX103BBKR	文件：259.839 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HCE103	文件：269.18 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HCE103BCKR	文件：259.839 Kbytes Page：8 Pages	CeramicHighVoltageDiscCapacitors,Class2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
HD-103	文件：212.22 Kbytes Page：1 Pages	Barriertypeterminalblock	BLOCKMASTER-ELECTRONICS BlockMaster Electronics, Inc.	BLOCKMASTER-ELECTRONICS
HDB103G	文件：98.77 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifier50to1000Volts Features •HighForwardSurgeCapability •Idealforprintedcircuitboards •HighTemperatureSoldering:250oCfor10seconds •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
HDB103G	文件：322.05 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GlassPassivatedBridgeHighEfficientRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
HDB103G	文件：64.9 Kbytes Page：2 Pages	1.0Ampglasspassivatedbridgehighefficientrectifier50to1000volts Features •HighForwardSurgeCapability •Idealforprintedcircuitboards •HighTemperatureSoldering:250oCfor10seconds •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI

产品属性

产品编号：
HBE103MBBCFGKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
HBE
包装：
卷带（TR）
容差：
±20%
电压 - 额定：
2000V（2kV）
工作温度：
-40°C ~ 85°C
特性：
高电压
应用：
通用
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，圆片式
大小 / 尺寸：
0.591" 直径（15.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.709"（18.00mm）
引线间距：
0.295"（7.50mm）
引线样式：
直形
描述：
CAP CER 10000PF 2KV RADIAL

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