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INA332AIDGKR	文件：994.65 Kbytes Page：22 Pages	INSTRUMENTATIONAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA332AIDGKT	文件：292.52 Kbytes Page：17 Pages	Low-Power,Single-Supply,CMOSINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA332AIDGKT	文件：994.65 Kbytes Page：22 Pages	INSTRUMENTATIONAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IP332	文件：589.21 Kbytes Page：1 Pages	4xDDR3DIMM,Max.32GB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF332	文件：208.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●LowInputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF332	文件：177.13 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF332	文件：49.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF332	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	IRF330-333/IRF730-733MTM/MTP5N35/5N40N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF332	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF332	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	IRF330-333/IRF730-733MTM/MTP5N35/5N40N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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产品属性

产品编号：
HAX332SBACRBKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
HAX
包装：
卷带（TR）
容差：
-20%，+50%
电压 - 额定：
1000V（1kV）
工作温度：
-40°C ~ 85°C
特性：
高电压
应用：
通用
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，圆片式
大小 / 尺寸：
0.354" 直径（9.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.472"（12.00mm）
引线间距：
0.197"（5.00mm）
引线样式：
直形
描述：
CAP CER 3300PF 1KV RADIAL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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