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HAT2267H-EL-E	文件：91.31 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switch 文件：91.31 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IMX2267C	文件：2.26275 Mbytes Page：36 Pages	Off-Line Zero Voltage Switching (ZVS) Flyback Switcher IC Applications • High efficiency driver for monitors and TVs • Ideal for designs that need to meet Energy Star 8, CEC, and 2021/2023 EU labeling requirements • High efficiency multi-output power supplies for industrial, smartmeter and appliance applications 文件：2.26275 Mbytes 页数：36 Pages	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
IPP-2267	文件：73.65 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE COUP 文件：73.65 Kbytes 页数：1 Pages	IPP	IPP
MAX2267	文件：186.71 Kbytes Page：16 Pages	2.7V, Single-Supply, Cellular-Band Linear Power Amplifiers General Description The MAX2267/MAX2268/MAX2269 power amplifiers are optimized for IS-98-based CDMA and PDC cellular telephones operating in the Japanese cellular-frequency band. When matched for CDMA operation, the amplifiers achieve 27dBm output power with 35 efficiency (MAX2268), with margin 文件：186.71 Kbytes 页数：16 Pages	MAXIM 美信	MAXIM

详细参数

型号：
HAT2267H-EL-E
功能描述：
MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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