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HAL106TQ-I数据手册传感器变送器的磁性传感器-开关(固态)规格书PDF
HAL106TQ-I规格书详情
描述 Description
HAL1xy开关系列是为家用电器盒工业应用设计的。传感器系以CMOS技术生产,它包含一个主动偏置补偿的温度补偿霍尔片,一个比较器,和一个开漏输出晶体管。比较器会通过霍尔片(霍尔电压)比较实际的磁通量和设定的参考值(开关点)。相应地,输出晶体管打开或者关闭。主动偏置补偿使得磁参数对机械应力效应下保持稳定可靠。此外,磁参数在全电压和全温度下都是持续的。HAL1xy系列产品有SOT89B SMD和TO92UA两种封装。 框图 - 系统架构 霍尔效应传感器是一个感应磁场而开关的单片集成电路。如果磁通线垂直于感应区域的磁场靠近传感器,霍尔片会按比例输出电压。霍尔电压就和比较器里的实际阀值进行比较。 独立于温度的偏置用来在高温下补偿磁场的减弱。如果磁场超过了阀值,开漏输出开关就切换到合适的状态。内置的磁滞消除震动病提供平稳的开关输出性能。由机械应力引起的磁场偏置由“开关偏置补偿技术”来补偿。
特性 Features
·Temperature ranges: C (Commercial, TJ = 0 °C to 85 °C) I (Industrial, TJ = –20 °C to 125 °C)
·Operates from 3.8 V to 24 V supply voltage
·Operates with static magnetic fields and dynamic magnetic fields up to 10 kHz
·Overvoltage protection at all pins
· Reverse-voltage protection at VDD pin
·Magnetic characteristics are robust against mechanical stress effects
·Short-circuit protected open-drain output by thermal shut down
·Constant switching points over a wide supply voltage and temperature range
·The decrease of magnetic flux density caused by rising temperature in the sen- sor system is compensated by a built-in negative temperature coefficient of the magnetic characteristics
·High temperature stability for home appliances and industrial applications
·High ESD rating
技术参数
- 制造商编号
:HAL106TQ-I
- 生产厂家
:TDK-Micronas
- Ordering Code
:HAL 106TQ-I
- 界面
:3-Wire
- Switching Behavior
:Unipolar
- Switching Points [mT] at 25°C
:BON 12.0 - BOFF 6.5
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Micronas |
23+ |
NA |
45000 |
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NA |
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23+ |
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172000 |
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60000 |
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