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HAF1002(L)/(S)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Thermal MOS FETs	HITACHI 日立	HITACHI
HAF1002L	文件：35.21 Kbytes Page：5 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching Features This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over powe 文件：35.21 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF1002L	文件：97.05 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching Description This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit opertion to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over 文件：97.05 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAF1002S	文件：35.21 Kbytes Page：5 Pages	Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching Features This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over powe 文件：35.21 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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