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BD8100YS	文件：88.86 Kbytes Page：2 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BD8100YS	文件：148.85 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
BD8100YT	文件：46.55 Kbytes Page：2 Pages	THROUGHHOLEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Forsurfacemountedapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BY8100	文件：54.58 Kbytes Page：10 Pages	Veryfasthigh-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURES	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CAT.8100B	文件：81.75 Kbytes Page：5 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon 尼吉康尼吉康株式会社	nichicon
CAT.8100C	文件：54.19 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon 尼吉康尼吉康株式会社	nichicon
CAT.8100C	文件：49.7 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon 尼吉康尼吉康株式会社	nichicon
CDBD8100-G	文件：59.78 Kbytes Page：3 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBD8100-HF	文件：76.31 Kbytes Page：3 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CHA8100	文件：260.89 Kbytes Page：12 Pages	X-bandHBTHighPowerAmplifier	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
DLS8100	文件：146.87 Kbytes Page：4 Pages	VDSLWirelineSimulator	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DR8100	文件：414.08 Kbytes Page：7 Pages	916.50MHzTransceiverModule	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
DR8100-DK	文件：43.92 Kbytes Page：1 Pages	916.50MHzDevelopmentKit	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
DR8100-EV	文件：224.65 Kbytes Page：8 Pages	916.50MHzTransceiverEvaluationModule	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
DRO8100A	文件：191.24 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillator	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
DRO8100A	文件：143.51 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorRadarSystems	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
DRO8100A	文件：139.87 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
DST8100S	文件：885.05 Kbytes Page：3 Pages	LittelfuseDSTseriesUltraLowVFSchottkyBarrier	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
DST8100S-A	文件：992.99 Kbytes Page：4 Pages	LittelfuseDSTseriesUltraLowVFSchottkyBarrier	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
EKT8100A	文件：963.97 Kbytes Page：37 Pages	CapacitiveTouchPadController	EMCELAN Microelectronics Corp 义隆义隆电子	EMC

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产品属性

产品编号：
H8100KBAA
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
Holco, Holsworthy
包装：
卷带（TR）
容差：
±0.1%
功率 (W)：
0.25W，1/4W
成分：
金属薄膜
特性：
脉冲耐受
温度系数：
±5ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 155°C
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
大小 / 尺寸：
0.098" 直径 x 0.283" 长（2.50mm x 7.20mm）
描述：
RES 100K OHM 0.1% 1/4W AXIAL

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