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H5TQ2G63GFR-RDL	文件：535.64 Kbytes Page：34 Pages	2GbDDR3SDRAMLead-Free&Halogen-Free(RoHSCompliant) FEATURES •VDD=VDDQ=1.5V+/-0.075V •Fullydifferentialclockinputs(CK,CK)operation •DifferentialDataStrobe(DQS,DQS) •OnchipDLLalignDQ,DQSandDQStransitionwithCK transition •DMmaskswritedata-inatthebothrisingandfalling edgesofthedatastrobe •Alladdresses	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
H5TQ2G63GFR-TEC	文件：535.64 Kbytes Page：34 Pages	2GbDDR3SDRAMLead-Free&Halogen-Free(RoHSCompliant) FEATURES •VDD=VDDQ=1.5V+/-0.075V •Fullydifferentialclockinputs(CK,CK)operation •DifferentialDataStrobe(DQS,DQS) •OnchipDLLalignDQ,DQSandDQStransitionwithCK transition •DMmaskswritedata-inatthebothrisingandfalling edgesofthedatastrobe •Alladdresses	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
H5TQ2G63GFR-TEI	文件：535.64 Kbytes Page：34 Pages	2GbDDR3SDRAMLead-Free&Halogen-Free(RoHSCompliant) FEATURES •VDD=VDDQ=1.5V+/-0.075V •Fullydifferentialclockinputs(CK,CK)operation •DifferentialDataStrobe(DQS,DQS) •OnchipDLLalignDQ,DQSandDQStransitionwithCK transition •DMmaskswritedata-inatthebothrisingandfalling edgesofthedatastrobe •Alladdresses	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
H5TQ2G63GFR-TEJ	文件：535.64 Kbytes Page：34 Pages	2GbDDR3SDRAMLead-Free&Halogen-Free(RoHSCompliant) FEATURES •VDD=VDDQ=1.5V+/-0.075V •Fullydifferentialclockinputs(CK,CK)operation •DifferentialDataStrobe(DQS,DQS) •OnchipDLLalignDQ,DQSandDQStransitionwithCK transition •DMmaskswritedata-inatthebothrisingandfalling edgesofthedatastrobe •Alladdresses	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
H5TQ2G63GFR-TEL	文件：535.64 Kbytes Page：34 Pages	2GbDDR3SDRAMLead-Free&Halogen-Free(RoHSCompliant) FEATURES •VDD=VDDQ=1.5V+/-0.075V •Fullydifferentialclockinputs(CK,CK)operation •DifferentialDataStrobe(DQS,DQS) •OnchipDLLalignDQ,DQSandDQStransitionwithCK transition •DMmaskswritedata-inatthebothrisingandfalling edgesofthedatastrobe •Alladdresses	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix

详细参数

型号：
H5TQ2G63FFRPBC
制造商：
HYNIX
制造商全称：
Hynix Semiconductor
功能描述：
2Gb DDR3 SDRAM

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