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H5TQ2G63GFR-TEI	文件：535.64 Kbytes Page：34 Pages	2GbDDR3SDRAMLead-Free&Halogen-Free(RoHSCompliant) FEATURES •VDD=VDDQ=1.5V+/-0.075V •Fullydifferentialclockinputs(CK,CK)operation •DifferentialDataStrobe(DQS,DQS) •OnchipDLLalignDQ,DQSandDQStransitionwithCK transition •DMmaskswritedata-inatthebothrisingandfalling edgesofthedatastrobe •Alladdresses	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
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更多H5TQ2G63FFR-PBI供应商更新时间2025-5-19 20:01:00

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