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H5N2007LSTL-E

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH HS SW TO-263

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

H5N2007FN

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件:103.17 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N2007FN-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching

文件:103.17 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

H5PS1G63EFR-S5C

HYNIX
FBGA84

H5PS1G63EFR-S5C-C

SKHYNIX
BGA

SKHYNIX

产品属性

  • 产品编号:

    H5N2007LSTL-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    25A(Tj)

  • 描述:

    MOSFET N-CH HS SW TO-263

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更多H5N2007LSTL-E供应商 更新时间2025-10-8 9:35:00