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H5784-06	文件：78.16 Kbytes Page：2 Pages	Photosensor Modules VoltageOutputTypePhotosensorModules TheH5784seriesphotosensormodulesarecomprisedofametalpackagephotomultipliertube,alow-powerconsumptionhigh-voltagepowersupplyandalownoiseamplifier.Theelectricalcurrentfromthephotomultipliertubeisconvertedtoavoltagebyanamp	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
H5784-20	文件：78.16 Kbytes Page：2 Pages	Photosensor Modules VoltageOutputTypePhotosensorModules TheH5784seriesphotosensormodulesarecomprisedofametalpackagephotomultipliertube,alow-powerconsumptionhigh-voltagepowersupplyandalownoiseamplifier.Theelectricalcurrentfromthephotomultipliertubeisconvertedtoavoltagebyanamp	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
H5A1	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
H5A2	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
H5A3	文件：108.27 Kbytes Page：4 Pages	500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
H5AN4G4NAFR	文件：725.21 Kbytes Page：45 Pages	4Gb DDR4 SDRAM Lead-Free&Halogen-Free (RoHS Compliant) Description TheH5AN4G4NAFR-xxC,H5AN4G8NAFR-xxCandH5AN4G6NAFR-xxCarea4GbCMOSDoubleDataRate IV(DDR4)SynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequireslargememory densityandhighbandwidth.SKhynix4GbDDR4SDRAMsofferfullysynchronousoperationsre	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
H5AN4G4NAFR-PBC	文件：725.21 Kbytes Page：45 Pages	4Gb DDR4 SDRAM Lead-Free&Halogen-Free (RoHS Compliant) Description TheH5AN4G4NAFR-xxC,H5AN4G8NAFR-xxCandH5AN4G6NAFR-xxCarea4GbCMOSDoubleDataRate IV(DDR4)SynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequireslargememory densityandhighbandwidth.SKhynix4GbDDR4SDRAMsofferfullysynchronousoperationsre	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
H5AN4G4NAFR-RDC	文件：725.21 Kbytes Page：45 Pages	4Gb DDR4 SDRAM Lead-Free&Halogen-Free (RoHS Compliant) Description TheH5AN4G4NAFR-xxC,H5AN4G8NAFR-xxCandH5AN4G6NAFR-xxCarea4GbCMOSDoubleDataRate IV(DDR4)SynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequireslargememory densityandhighbandwidth.SKhynix4GbDDR4SDRAMsofferfullysynchronousoperationsre	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
H5AN4G4NAFR-TFC	文件：725.21 Kbytes Page：45 Pages	4Gb DDR4 SDRAM Lead-Free&Halogen-Free (RoHS Compliant) Description TheH5AN4G4NAFR-xxC,H5AN4G8NAFR-xxCandH5AN4G6NAFR-xxCarea4GbCMOSDoubleDataRate IV(DDR4)SynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequireslargememory densityandhighbandwidth.SKhynix4GbDDR4SDRAMsofferfullysynchronousoperationsre	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
H5AN4G4NAFR-UHC	文件：725.21 Kbytes Page：45 Pages	4Gb DDR4 SDRAM Lead-Free&Halogen-Free (RoHS Compliant) Description TheH5AN4G4NAFR-xxC,H5AN4G8NAFR-xxCandH5AN4G6NAFR-xxCarea4GbCMOSDoubleDataRate IV(DDR4)SynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryapplicationswhichrequireslargememory densityandhighbandwidth.SKhynix4GbDDR4SDRAMsofferfullysynchronousoperationsre	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix

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产品属性

产品编号：
H5004
制造商：
Pulse Electronics Network
类别：
变压器 > 脉冲变压器
变压器类型：
LAN 1000 Base-T
匝数比 - 初级：
1CT：1CT
安装类型：
表面贴装型
大小 / 尺寸：
0.690" 长 x 0.480" 宽（17.53mm x 12.20mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.235"（5.97mm）
工作温度：
0°C ~ 70°C
描述：
MODULE SINGLE GIGABIT LAN 24SOIC

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