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ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,te | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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