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H15T60D	文件：1.05515 Mbytes Page：6 Pages	Trench Gate IGBT Features: • 600V trench gate/field termination process • Very low Vce(sat) • Low switching loss • Positive temperature coefficient in Vce(sat) • Lead Free Applications: • EV Charging • Uninterruptible Power Supply (UPS) • Inverters • Load Switch 文件：1.05515 Mbytes 页数：6 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
SIGC15T60	文件：76.79 Kbytes Page：4 Pages	IGBT3 Chip 文件：76.79 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SIGC15T60S	文件：77.28 Kbytes Page：4 Pages	IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient 文件：77.28 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SIGC15T60UN	文件：68.32 Kbytes Page：4 Pages	High Speed IGBT Chip in NPT-technology positive temperature coefficient 文件：68.32 Kbytes 页数：4 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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更多H15T60D供应商更新时间2026-4-20 15:03:00