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H15R1203	文件：300 bytes Page：1 Pages	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode Features:\n• Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only\n• TRENCHSTOP™ technology applications offers:\n - very tight parameter distribution\n - high ruggedness, temperature stable behavior\n - low VCEsat\n - easy parallel switching capability	Infineon 英飞凌	Infineon
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