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H12NA60中文资料PDF规格书

H12NA60
厂商型号

H12NA60

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

243.04 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 9:48:00

H12NA60规格书详情

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω

■ ±30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

   EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

   POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

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