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H11N1M数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

H11N1M

功能描述

6 引脚 DIP 低输入电流施密特触发器输出光耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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H11N1M规格书详情

描述 Description

H11NX-M系列具有光学耦合至AlGaAs红外线发射二极管的高速集成电路检测器。 输出包含施密特触发器,为抗噪能力和脉冲整形提供滞后。 检测器电路有所优化,操作简化并利用开路集电极输出实现最大程度的应用灵活性。

特性 Features

•高数据速率,典型值为5MHz (NRZ)
•在整个电压和温度范围内无闩锁和振荡
•微处理器兼容驱动
•在0.5V条件下,逻辑兼容最大输出灌电流16mA
•保证导通/关断阈值滞后
•宽电源电压能力,与所有常见的逻辑系统兼容
•高共模瞬变抑制:2000V/μs(最小值)
•快速开关,为tr = 7.5ns(典型值),tf = 12ns(典型值)
•通过Underwriters Laboratory(UL)认证 - 文件编号E90700
•VDE认证 - 文件编号102497 - 添加选项V(例如,H11N1VM)

应用 Application

• 消费型设备
• 工业级电机

技术参数

  • 制造商编号

    :H11N1M

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Data Rate (Mbps)

    :5

  • VCC (Max) (V)

    :15

  • VCC (Min) (V)

    :3

  • Channels

    :1

  • IFT (Max) (mA)

    :3.2

  • VOL (Max) (V)

    :0.5

  • ICCL (Max) (mA)

    :10

  • tPHL (Max) (ns)

    :330

  • tPLH (Max) (ns)

    :330

  • PWD (Max) (ns)

    :-

  • CMR (Max) (kV/µs)

    :-

  • VISO (Min) (V)

    :4200

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :85

  • Package Type

    :PDIP-6

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