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H11B3TA-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B3TB-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B3-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B3X	文件：55.92 Kbytes Page：3 Pages	OPTICALLYCOUPLEDISOLATORPHOTODARLINGTONOUTPUT DESCRIPTION TheH11B_seriesofopticallycoupledisolatorsconsistofaninfraredlightemittingdiodeandNPNsiliconphotodarlingtoninaspaceefficientdualinlineplasticpackage. FEATURES ●Options:- 10mmleadspread-addGafterpartno. Surfacemount-addSMafterpartno.	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
HZ11B3	文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages	Glass-EncapsulateDiodes	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HZ11B3	文件：55.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZ11B3	文件：261.899 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
HZ11B3	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZS11B3	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU11B3	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
H11B3_Q
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 DIP-6 PHOTO DARL
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市信佳源电子有限公司	H11B3-007	FAIRCHILD/仙童	2010+	DIP SOP	20000	原装现货	询价
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