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RKZ11B2KD

SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RKZ11B2KJ

SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorptionandStabilizer

Features •EmbossTapingReelPack. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    H11B2W

  • 功能描述:

    晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Photodarlington

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 输入类型:

    DC

  • 最大集电极/发射极电压:

    70 V

  • 最大集电极/发射极饱和电压:

    0.4 V

  • 绝缘电压:

    5300 Vrms

  • 电流传递比:

    100 % to 200 %

  • 最大正向二极管电压:

    1.65 V

  • 最大输入二极管电流:

    60 mA

  • 最大集电极电流:

    100 mA

  • 最大功率耗散:

    100 mW

  • 最大工作温度:

    + 110 C

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 封装/箱体:

    DIP-4

  • 封装:

    Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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2010+
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20000
原装现货
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更多H11B2W供应商 更新时间2020-4-2 17:49:00