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H11B1M数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

H11B1M

功能描述

6引脚DIP光敏达林顿输出光电耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:39:00

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H11B1M规格书详情

描述 Description

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器,光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

特性 Features

•对于低输入驱动电流高度敏感
•满足或超过所有JEDEC寄存规格
•UL、C-UL认证
•VDE 0884认证可作为测试选项
•– 添加选项V(例如,4N29VM)

应用 Application

• 消费型设备
• 工业级电机

技术参数

  • 制造商编号

    :H11B1M

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channels

    :1

  • CTR (Min) (%)

    :500

  • CTR tested @ IF (mA)

    :1

  • VCE(sat) (Max) (V)

    :1

  • BVCEO (Min) (V)

    :25

  • BVCBO (Min) (V)

    :30

  • BVECO (Min) (V)

    :7

  • ton (Max) (µs)

    :-

  • toff (Max) (µs)

    :-

  • VISO (Min) (V)

    :5300

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :100

  • Package Type

    :PDIP-6

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