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H11AG1M数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

H11AG1M

功能描述

6 引脚 DIP 光电晶体管输出光耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 18:00:00

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H11AG1M规格书详情

描述 Description

H11AG1M系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,与硅光电晶体管耦合,采用双列直插封装。 该器件拥有独有的特性,即在低输出电压和低输出电流时都具备较高的电流转换比率。 这使得该器件成为低功耗逻辑电路、电信设备和便携电子隔离应用的理想选择。

特性 Features

•高效率低衰减液体外延IRED
•兼容逻辑电平、输入和输出电流,带CMOS和LS/TTL
•在低输入电流时(低至200µA)具有较高的DC电流转换比率
•通过Underwriters Laboratory(UL)认证(文件编号E90700,第2卷)
•提供VDE认证作为测试选项
•– 添加选项V(例如H11AG1VM)

应用 Application

• 消费型设备
• 工业级电机

技术参数

  • 制造商编号

    :H11AG1M

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channels

    :1

  • CTR (Min) (%)

    :300

  • CTR (Max) (%)

    :-

  • CTR tested @ IF (mA)

    :1

  • VCE(sat) (Max) (V)

    :0.4

  • BVCEO (Min) (V)

    :30

  • BVCBO (Min) (V)

    :70

  • BVECO (Min) (V)

    :7

  • ton (Max) (µs)

    :5

  • toff (Max) (µs)

    :5

  • VISO (Min) (V)

    :4200

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :100

  • Package Type

    :PDIP-6

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