H11AG1M数据手册ONSEMI中文资料规格书
H11AG1M规格书详情
描述 Description
H11AG1M系列包含一个砷铝化镓IRED发光二极管,与硅光电晶体管耦合,采用双列直插封装。 该器件拥有独有的特性,即在低输出电压和低输出电流时都具备较高的电流转换比率。 这使得该器件成为低功耗逻辑电路、电信设备和便携电子隔离应用的理想选择。
特性 Features
•高效率低衰减液体外延IRED
•兼容逻辑电平、输入和输出电流,带CMOS和LS/TTL
•在低输入电流时(低至200µA)具有较高的DC电流转换比率
•通过Underwriters Laboratory(UL)认证(文件编号E90700,第2卷)
•提供VDE认证作为测试选项
•– 添加选项V(例如H11AG1VM)
应用 Application
• 消费型设备
• 工业级电机
技术参数
- 制造商编号
:H11AG1M
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channels
:1
- CTR (Min) (%)
:300
- CTR (Max) (%)
:-
- CTR tested @ IF (mA)
:1
- VCE(sat) (Max) (V)
:0.4
- BVCEO (Min) (V)
:30
- BVCBO (Min) (V)
:70
- BVECO (Min) (V)
:7
- ton (Max) (µs)
:5
- toff (Max) (µs)
:5
- VISO (Min) (V)
:4200
- TOPR (Min) (°C)
:-40
- TOPR (Max) (°C)
:100
- Package Type
:PDIP-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
1820 |
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
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NA |
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原装正品 |
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ON/安森美 |
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FAIRCHILDSEMICONDUCTOR |
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ON/安森美 |
25+ |
NA |
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ON/安森美 |
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