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H11AA814A3SD	文件：496.44 Kbytes Page：9 Pages	4-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION The H11AA814 Series consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a single silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package. The H11A617 and H11A817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a sili 文件：496.44 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
H11AA814A3S	文件：496.44 Kbytes Page：9 Pages	4-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION The H11AA814 Series consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a single silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package. The H11A617 and H11A817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a sili 文件：496.44 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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H11G2SM	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美
H11G2SR2M	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美

详细参数

型号：
H11AA814A3SD
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 aC input SM-DIP4 Opto Phototransistor
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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