H11A1中文资料6-Pin DIP Optoisolators Transistor Output数据手册恩XP规格书
H11A1规格书详情
描述 Description
The H11A1 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon phototransistor detector.
• Current Transfer Ratios (CTR) 30% and 50%
• Economical Optoisolators for General Purpose/High Volume
应用 Application
• To order devices that are tested and marked per VDE 0884 requirements, the
suffix ”V” must be included at end of part number. VDE 0884 is a test option.Applications
• General Purpose Switching Circuits
• Interfacing and coupling systems of different potentials and impedances
• Monitor and Detection Circuits
技术参数
- 产品编号：
H11A13SD
- 制造商：
ETC
- 类别：
隔离器 > 光隔离器 - 晶体管，光电输出
- 包装：
管件
- 电压 - 隔离：
5300Vrms
- 电流传输比（最小值）：
50% @ 10mA
- 接通 / 关断时间（典型值）：
2µs，2µs
- 输入类型：
DC
- 输出类型：
有基极的晶体管
- 电压 - 输出（最大值）：
30V
- 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.18V
- Vce 饱和压降（最大）：
400mV
- 工作温度：
-55°C ~ 100°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-SMD，鸥翼
- 供应商器件封装：
6-SMD
- 描述：
OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
NA |
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