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H10L200SDC-R	文件：1.17723 Mbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier ReverseVoltage-200V ForwardCurrent–10A FEATURES ♦Verylowforwardvoltage ♦Highcurrentcapability ♦Highforwardsurgecapability ♦Lowpowerlosses，Highefficiency ♦Guardingforovervoltageprotection ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
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HRT10L200SCT	文件：1.17723 Mbytes Page：4 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier ReverseVoltage-200V ForwardCurrent–10A FEATURES ♦Verylowforwardvoltage ♦Highcurrentcapability ♦Highforwardsurgecapability ♦Lowpowerlosses，Highefficiency ♦Guardingforovervoltageprotection ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
HRT10L200SFCT	文件：1.17723 Mbytes Page：4 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier ReverseVoltage-200V ForwardCurrent–10A FEATURES ♦Verylowforwardvoltage ♦Highcurrentcapability ♦Highforwardsurgecapability ♦Lowpowerlosses，Highefficiency ♦Guardingforovervoltageprotection ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
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