选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
FSCTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
ON/安森美TO-220 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
ON/安森美TO-220 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
onsemi/安森美TO-220 |
4500 |
新批次 |
||||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
INTERSILTO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
onsemi(安森美)TO-220 |
942 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
onsemi/安森美TO-220 |
4500 |
新批次 |
||||
|
深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
|
ONTO-220 |
8675 |
19+ |
||||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
FSCTO-220 |
15000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市华宇金电子有限公司1年
留言
|
onsemi(安森美)TO-220 |
690000 |
24+ |
支持实单/只做原装 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
FSCTO-220 |
4 |
13+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
|
ON/安森美TO-220-3 |
6000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
ON/安森美TO-220-3 |
8080 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
ON/安森美TO-2 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
|
ON/安森美 |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
|||
|
深圳市纳立科技有限公司3年
留言
|
1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
||||
|
深圳市正迈科技有限公司8年
留言
|
FSC/ON原包装原封 □□ |
2636 |
23+ |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
Intersil原厂原装 |
1400 |
23+ |
全新原装 |
HGTP7N60A4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HGTP7N60A4图片
HGTP7N60A4中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTP7N60A4功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP7N60A4_NL制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGTP7N60A4D功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTP7N60A4NL制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
产品属性
- 产品编号:
HGTP7N60A4
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,7A
- 开关能量:
55µJ(开),60µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
11ns/100ns
- 测试条件:
390V,7A,25 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 34A TO220-3