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INA217AIDWT	文件：219.31 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA217AIDWT	文件：342.53 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA217AIDWT	文件：966.1 Kbytes Page：25 Pages	Low-Noise,Low-DistortionInstrumentationAmplifierReplacement	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA217AIP	文件：219.31 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA217AIP	文件：342.53 Kbytes Page：11 Pages	Low-Noise,Low-DistortionINSTRUMENTATIONAMPLIFIERReplacementforSSM2017	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA217AIP	文件：966.1 Kbytes Page：25 Pages	Low-Noise,Low-DistortionInstrumentationAmplifierReplacement	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
ISCND217P	文件：245.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •DCCurrentGain-hFE=150(Min)@IC=0.8A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposeampliferandswitching ap	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KAQV217	文件：424.42 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltage,SolidStateRelay-MOSFETOutput Features 1.NormallyOpen,SinglePoleSingleThrow 2.Control200VACorDCVoltage 3.Switch180mALoads 4.LEDcontrolCurrent,5mA 5.LowON-Resistance 6.dv/dt,>500V/ms 7.IsolationTestVoltage,3750VACrms	COSMOCOSMO Electronics Corporation 冠西电子冠西电子企业股份有限公司	COSMO
KAQV217A	文件：172.39 Kbytes Page：7 Pages	PRODUCTSPECIFICATION Features 1.NormallyOpen,SinglePoleSingleThrow 2.Control200VACorDCVoltage 3.Switch180mALoads 4.LEDcontrolCurrent,5mA 5.LowON-Resistance 6.dv/dt,>500V/ms 7.IsolationTestVoltage,3750VACrms	COSMOCOSMO Electronics Corporation 冠西电子冠西电子企业股份有限公司	COSMO
KAQV217ATL	文件：271.64 Kbytes Page：12 Pages	6PIN200VN.OTYPESOLIDSTATERELAY-MOSFETOOUTPUT	COSMOCOSMO Electronics Corporation 冠西电子冠西电子企业股份有限公司	COSMO

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