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GVT7164B18T-12	文件：162.09 Kbytes Page：13 Pages	64K X 18 Synchronous Burst SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvanceddouble-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors. Features •Fastaccesstimes:9and10	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

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GVT7164B18T-12

文件：162.09 Kbytes

Page：13 Pages

64K X 18 Synchronous Burst SRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,low-powerCMOSdesignsusingadvanceddouble-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohigh-valuedresistors. Features •Fastaccesstimes:9and10

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

详细参数

型号：
GVT7164B18T-12
制造商：
CYPRESS
制造商全称：
Cypress Semiconductor
功能描述：
64K X 18 Synchronous Burst SRAM

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更多GVT7164B18T-12供应商更新时间2025-6-13 14:42:00

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