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GVT71512C18B-6.7	文件：307.76 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohighvaluedresistors. Features •Fastaccesstimes:2.5ns	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

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GVT71512C18B-6.7

文件：307.76 Kbytes

Page：27 Pages

256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM

FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshigh-speed,lowpowerCMOSdesignsusingadvancedtriple-layerpolysilicon,double-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsoffourtransistorsandtwohighvaluedresistors. Features •Fastaccesstimes:2.5ns

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Cypress

详细参数

型号：
GVT71512C18B-6.7
制造商：
CYPRESS
制造商全称：
Cypress Semiconductor
功能描述：
256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM

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更多GVT71512C18B-6.7供应商更新时间2025-5-24 10:32:00

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