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KSA812YMTF	文件：64.44 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KTC812E	文件：78.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •Asuper-minimoldpackagehouses2transistor. •Excellenttemperatureresponsebetweenthese2transistor. •HighpairingpropertyinhFE. •ThefollwingcharacteristicsarecommonforQ1,Q2.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC812T	文件：408.88 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighEmitter-BaseVoltage:VEBO=25V(Min.) •HighReversehFE :ReversehFE=150(Typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA) •LowonResistance:RON=1(Typ.),(IB=5mA)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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KSA812YMTF

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LowFrequencyAmplifier

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •Asuper-minimoldpackagehouses2transistor. •Excellenttemperatureresponsebetweenthese2transistor. •HighpairingpropertyinhFE. •ThefollwingcharacteristicsarecommonforQ1,Q2.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

KTC812T

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EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR

FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighEmitter-BaseVoltage:VEBO=25V(Min.) •HighReversehFE :ReversehFE=150(Typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA) •LowonResistance:RON=1(Typ.),(IB=5mA)

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

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更多GUCB812供应商更新时间2025-5-23 10:09:00

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