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GTVA262711FA-V2-R2 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 300 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz Description TheGTVA262711FAisa300-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNonSiCHEM | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. | WOLFSPEED | |
GTVA262711FA-V2-R2 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 300 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz | CreeCree, Inc 科锐 | Cree | |
GTVA262711FA-V2-R2 | Package:H-87265J-2;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. | WOLFSPEED |
产品属性
- 产品编号:
GTVA262711FA-V2-R2
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 系列:
GaN
- 包装:
带
- 晶体管类型:
HEMT
- 频率:
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
18dB
- 功率 - 输出:
70W
- 封装/外壳:
H-87265J-2
- 供应商器件封装:
H-87265J-2
- 描述:
GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Wolfspeed, Inc. |
24+ |
H-87265J-2 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
Cree/Wolfspeed |
100 |
询价 | |||||
Cree/Wolfspeed |
2022+ |
H-37248-4 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271744邹小姐 |
询价 | ||
Wolfspeed Inc. |
25+ |
H-37248-4 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
Wolfspeed |
23+ |
N/A |
10000 |
11优价绝对有货物料 |
询价 | ||
端子 |
2021+ |
10000 |
只做原装,可提供样品 |
询价 | |||
OSRAM |
10000 |
询价 |
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