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GTVA220701FA-V1-R2 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 70 W, 50 V, 1805 – 2170 MHz Description TheGTVA220701FAisa70-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNonSiCHEMT | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. | WOLFSPEED | |
GTVA220701FA-V1-R2 | 包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:GAN SIC | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. | WOLFSPEED |
产品属性
- 产品编号:
GTVA220701FA-V1-R2
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
散装
- 描述:
GAN SIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Wolfspeed, Inc. |
24+ |
NA |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
Cree/Wolfspeed |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
2405+ |
原厂封装 |
50000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271742邹小姐 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Cree/Wolfspeed |
100 |
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Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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INFINEON |
1809+ |
SMD |
26 |
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Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
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