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GTVA212701FA-V2-R0	文件：566.2 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2110 – 2200 MHz Description TheGTVA212701FAisa270-wattGaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinthe2110to2200MHz frequecyband.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedearlesspackage. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputmatched •Typic	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
GTVA212701FA-V2-R0	文件：434 Kbytes Page：8 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2110 ??2200 MHz	CreeCree, Inc 科锐	Cree
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Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2110 – 2200 MHz

Description TheGTVA212701FAisa270-wattGaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinthe2110to2200MHz frequecyband.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedearlesspackage. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputmatched •Typic

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

GTVA212701FA-V2-R0

文件：434 Kbytes

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Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2110 ??2200 MHz

CreeCree, Inc

科锐

Cree

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文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：H-87265J-2；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：270W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

产品属性

产品编号：
GTVA212701FA-V2-R0
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
系列：
GaN
包装：
带
晶体管类型：
HEMT
频率：
2.11GHz ~ 2.2GHz
增益：
19dB
功率 - 输出：
270W
封装/外壳：
H-87265J-2
供应商器件封装：
H-87265J-2
描述：
270W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	GTVA212701FA-V2-R0	Wolfspeed Inc.	25+	H-87265J-2	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
兆亿微波(北京)科技有限公司	GTVA212701FA-V2-R0	Cree/Wolfspeed			100		询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	GTVA212711FA-V1-R2	CREE	23+	SMD	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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