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GTRA412852FC-V1-R2	文件：967.42 Kbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 235 W, 48 V, 3700 – 4100 MHz Description TheGTRA412852FCisa235-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputandoutputmatching,high efficiency,andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaN	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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GTRA412852FC-V1-R2

文件：967.42 Kbytes

Page：14 Pages

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 235 W, 48 V, 3700 – 4100 MHz

Description TheGTRA412852FCisa235-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputandoutputmatching,high efficiency,andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaN

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