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GTRA263902FC-V2-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 370 W, 48 V, 2495 – 2690 MHz

Description The GTRA263902FC is a 370-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multistandard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT

文件:531.41 Kbytes 页数:8 Pages

WOLFSPEED

GTRA263902FC-V2-R2

Package:H-37248C-4;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

WOLFSPEED

产品属性

  • 产品编号:

    GTRA263902FC-V2-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    GaN

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    2.495GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    13.8dB

  • 功率 - 输出:

    370W

  • 封装/外壳:

    H-37248C-4

  • 供应商器件封装:

    H-37248C-4

  • 描述:

    390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Wolfspeed Inc.
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更多GTRA263902FC-V2-R2供应商 更新时间2025-9-30 15:49:00