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GTRA262802FC-V2-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 250 W, 48 V, 2490 – 2690 MHz

Description TheGTRA262802FCisa250-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNonSiCHEMT

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTRA262802FC-V2-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 250 W, 48 V, 2490 ??2690 MHz

CreeCree, Inc

科锐

GTRA262802FC-V2-R2

Package:H-37248C-4;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

产品属性

  • 产品编号:

    GTRA262802FC-V2-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    GaN

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    2.49GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 输出:

    250W

  • 封装/外壳:

    H-37248C-4

  • 供应商器件封装:

    H-37248C-4

  • 描述:

    280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Wolfspeed, Inc.
24+
H-37248C-4
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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Wolfspeed Inc.
25+
H-37248C-4
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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Cree/Wolfspeed
100
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INFINEON
23+
8000
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23+
7000
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INFINEON/英飞凌
23+
SMD
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INFINEON/英飞凌
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INFINEON/英飞凌
24+
NA/
4000
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INFINEON/英飞凌
24+
SMD
60000
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更多GTRA262802FC-V2-R2供应商 更新时间2025-5-5 14:14:00