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GTRA260502M-V1-R3K	文件：762.29 Kbytes Page：9 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 50 W, 48 V, 2515 – 2675 MHz Description TheGTRA260502Misa50-watt(P3dB)GaNonSiChighelectronmobility transistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpoweramplifier applications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,andathermallyenhancedDFNSMDpackage. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •T	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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GTRA260502M-V1-R3K

文件：762.29 Kbytes

Page：9 Pages

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 50 W, 48 V, 2515 – 2675 MHz

Description TheGTRA260502Misa50-watt(P3dB)GaNonSiChighelectronmobility transistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpoweramplifier applications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,andathermallyenhancedDFNSMDpackage. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •T

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