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HM2010	文件：1.35861 Mbytes Page：16 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-circuitProtection	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2010A	文件：712.08 Kbytes Page：7 Pages	3WClassDFullyDifferentialInputMonoAudioAmplifier	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2010A	文件：1.35861 Mbytes Page：16 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-circuitProtection	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2010D	文件：1.35861 Mbytes Page：16 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-circuitProtection	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2010M	文件：1.35861 Mbytes Page：16 Pages	3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-circuitProtection	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMC2010	文件：274.97 Kbytes Page：5 Pages	HighValueThickFilmChipResistor Features: •RValueextensionofRMCFproduct •Highlystableperformanceovertime •Powerderatingfrom100at70ºCtozeroat125ºC •E12andE24values •Nickelbarrierterminations •RoHScompliantbymeansofexemption7c-I •Halogenfree •REACHcompliant	SEIStackpole Electronics Inc. 斯塔克波尔斯塔克波尔电子公司	SEI
HMEP2010	文件：96.74 Kbytes Page：2 Pages	Panneauxinterieursetsupports	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HMEP2010	文件：142.02 Kbytes Page：1 Pages	12GAUGEGALVANIZEDSTEEL	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HN2010	文件：130.09 Kbytes Page：2 Pages	2.4GHzStand-AloneModems	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
HO-NP-2010	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM

详细参数

型号：
GTL2010PW/N-T
功能描述：
转换 - 电压电平 1-BIT GTL VOLTAGE CLAMP TRANS
RoHS：
否
制造商：
Micrel
类型：
CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL
传播延迟时间：
1.9 ns
电源电流：
14 mA
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
3 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
MLF-8

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