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IPT-2009	文件：96.18 Kbytes Page：2 Pages	ICReferenceDesignTransformers	ICE ice Components, Ins.	ICE
JAO2009	文件：866.46 Kbytes Page：1 Pages	Currentmonitoringswitch	YHDCBeijing Yaohuadechang Electronic Co., Ltd. 德昌电气设备德昌电气设备有限公司	YHDC
KBP2009G	文件：959.75 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBIRIDGERECTIFIERS FEATURES •ULRecognizedFile#E469616 •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique •Idealforprintedcircuitboard •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecurrentcapability	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
KIT2009A	文件：156.98 Kbytes Page：4 Pages	PhotoInterrupter	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KSR2009	文件：32.88 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingApplication SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R=4.7KΩ) •ComplementtoKSR1009	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSR2009	文件：56.29 Kbytes Page：2 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R=4.7KΩ) •ComplementtoKSR1009	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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LCE2009S	文件：126.01 Kbytes Page：16 Pages	NPNmicrowavepowertransistors DESCRIPTION TheLBE2003SandLBE2009SareNPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorsinaSOT441Ametalceramicstudlesspackage.TheLCE2009SisamaintenancetypeinaSOT442Ametalceramiccapstanpackage. FEATURES •Diffusedemitterballastingresistors •Self-alignedprocess	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
MA2009	文件：383.16 Kbytes Page：9 Pages	1.2MHz2A,HighVoltage,BoostConverte	MPOWERMajor-Power Technology Co., LTD. 久昌科技久昌科技股份有限公司	MPOWER
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详细参数

型号：
GTL2009PW-T
功能描述：
校验器 IC 3-BIT FRONT-SIDE BUS FREQ COMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GTL2009PW-T供应商更新时间2025-5-24 15:23:00

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