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GT8G103中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

GT8G103

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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技术参数

  • 型号:

    GT8G103

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 400V 8A 3PIN DP - Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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