首页 >GT60M303其他被动元件>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORSILICONNCHANNELIGBT HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS ●FourthgenerationIGBT ●FRDincludedbetweenemitterandcollector ●Enhancementmodetype ●Highspeed IGBT:tf=0.25μs(TYP.) FRD:trr=0.7μs(TYP.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.1V(TYP.) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
DiscreteIGBTs | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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