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GT60M302

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

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TOSHIBA

东芝

GT60M302

Discrete IGBTs

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TOSHIBA

东芝

GT60M302

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

Toshiba

东芝

GT813

QFN48

GT911

SOP

GOODIX

汇顶科技

上传:深圳市联世界科技有限公司

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