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GT5G103中文资料PDF规格书

GT5G103
厂商型号

GT5G103

功能描述

N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS)

文件大小

221.35 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-20 18:02:00

GT5G103规格书详情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

产品属性

  • 型号:

    GT5G103

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 400V 5A 3PIN DP - Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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