GT40WR21分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
GT40WR21 |
| 参数属性 | GT40WR21 封装/外壳为TO-3P-3，SC-65-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN( |
| 功能描述 | Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
| 封装外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
131.18 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 | TOSHIBA |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 20:00:00 |
| 人工找货 | GT40WR21价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
GT40WR21,Q
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
5.9V @ 15V，40A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装：
TO-3P（N）
- 描述：
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOS |
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TOSHIBA(东芝) |
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ADI/亚德诺 |
22+ |
66900 |
原封装 |
询价 | |||
TOS |
25+ |
TO-3P(N) |
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