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GT40T302	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
GT40T302	文件：173.24 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT ParallelResonanceInverterSwitchingApplications •FRDincludedbetweenemitterandcollector •Enhancementmode •HighspeedIGBT:tf=0.23μs(typ.)(IC=40A) FRD:trr=0.7μs(typ.)(di/dt=−20A/μs) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V(typ.)(IC=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

ParallelResonanceInverterSwitchingApplications •FRDincludedbetweenemitterandcollector •Enhancementmode •HighspeedIGBT:tf=0.23μs(typ.)(IC=40A) FRD:trr=0.7μs(typ.)(di/dt=−20A/μs) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V(typ.)(IC=

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