GT40QR21(STA1,E,D_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-Toshiba Semiconductor and Storage

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25+	¥25.76000

厂家型号：
GT40QR21(STA1,E,D
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-6-1 14:00:00

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原厂料号：GT40QR21(STA1,E,D品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

GT40QR21(STA1,E,D是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装TO-3P-3，SC-65-3的GT40QR21(STA1,E,D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
gt40qr21(sta1,e,d
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

产品属性

类型
描述
产品编号：
GT40QR21(STA1,E,D
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，40A
开关能量：
-，290µJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
280V，40A，10 欧姆，20V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P（N）
描述：
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

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